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第1章PN结

1.1半导体物理基础知识

1.1.1导带电子浓度

1.1.2价带空穴浓度

1.1.3四种电流

1.1.4突变PN结耗尽区宽度

1.1.5一维扩散方程的稳态解

1.1.6玻耳兹曼分布规律的应用

1.2PN结直流特性

1.2.1基本结构

1.2.2正偏下的电流

1.2.3非平衡PN结的能带图

1.2.4正向偏压下非平衡少子的分布

1.2.5反向偏压下非平衡少子的分布

1.2.6理想PN结的电流电压关系

1.3PN结交流特性

1.3.1交流小信号下的PN结少子分布

1.3.2扩散电流

1.3.3交流小信号导纳 

1.3.4交流小信号等效电路

1.4PN结的开关特性

1.4.1PN结二极管的开关作用

1.4.2导通过程

1.4.3关断过程

习题

第2章双极型晶体管

2.1工作原理

2.1.1晶体管的发明

2.1.2基本结构

2.1.3放大原理

2.1.4共基极电流放大系数

2.1.5共射极电流放大系数

2.2直流特性

2.2.1BJT中的少子分布

2.2.2理想晶体管的电流电压方程

2.2.3电流放大系数表达式

2.2.4理想晶体管的输入与输出特性

2.3BJT的非理想现象

2.3.1发射结面积对γ的影响

2.3.2基区宽度调制效应（Early效应）

2.3.3发射结复合电流影响

2.3.4大注入效应之一——Webster效应

2.3.5大注入效应之二——Kirk效应

2.3.6大注入效应之三——发射极电流集边效应（基极电阻

自偏压效应）

2.3.7实际晶体管的输入与输出特性

2.4反向特性

2.4.1晶体管的反向电流

2.4.2晶体管反向击穿电压

2.4.3晶体管穿通电压

2.5晶体管模型

2.6频率特性

2.6.1晶体管的放大作用

2.6.2低频交流小信号等效电路

2.6.3放大系数的频率特性

2.6.4高频等效电路

2.6.5漂移型晶体管

2.6.6异质结双极型晶体管

2.7开关特性

2.7.1晶体管的开关作用

2.7.2电荷控制理论和晶体管开关时间

习题

第3章场效应晶体管基础

3.1表面电场效应

3.1.1表面电导

3.1.2MOSFET发明简史

3.2工作原理

3.3MOSFET的阈值电压

3.3.1阈值电压的定义

3.3.2影响阈值电压的因素

3.4MOSFET的直流特性

3.4.1MOSFET非平衡时的能带图

3.4.2IDSVDS的关系

3.4.3MOSFET的亚阈值特性

3.4.4MOSFET的直流参数和低频小信号参数

3.4.5MOSFET的二级效应

3.4.6击穿特性

3.5MOSFET的频率特性

3.5.1交流小信号等效电路

3.5.2高频特性

3.6MOSFET的开关特性

3.6.1电阻型负载MOS倒相器

3.6.2增强型增强型MOS倒相器

3.6.3增强型耗尽型MOS倒相器

3.6.4互补型MOS倒相器

3.7MOSFET的功率特性

习题

第4章小尺寸MOSFET

4.1小尺寸效应

4.1.1MOSFET的短沟道效应

4.1.2阈值电压“滚降”

4.1.3反常短沟道效应

4.1.4窄沟道效应

4.1.5漏感应势垒降低

4.1.6短沟道 MOSFET的亚阈特性

4.1.7热载流子效应抑制——新型漏结构

4.2小尺寸MOSFET的直流特性

4.2.1载流子速度饱和效应

4.2.2短沟道器件沟道中的电场

4.3MOSFET的按比例微缩规律

4.3.1按比例微缩规律概述

4.3.2MOSFET的微缩规则

4.3.3微缩的限制及对策

习题

附录AEbersMoll方程仿真NPN BJT共射极输出特性曲线的

MATLAB程序样例

附录B均匀基区NPN BJT交流小信号情况下的超相移因子

附录C集电结势垒区输运系数βd(ω)和集电结渡越时间τd的推导

附录D氧化物隔离双极型晶体管典型工艺流程

附录E浅槽隔离平面CMOS晶体管典型工艺流程

附录F浅槽隔离立体FinFET典型工艺流程

附录GMOSFET重要参数的业界测量方案