本书的第3版，把当前数字集成电路中已无可争议地占绝对主导地位的CMOS电路技术作为主要内容。全书以当前工业界领先的0.18T微米和0.13微米的工艺技术为基础，注入了许多深亚微米领域电路设计方面的资料，如最先进的电路制造工艺、BSIM3短沟器件模型、深亚微米的互连技术和时钟技术、基于逻辑力度（Logic Effort）的高速CMOS电路设计技术、电源网络设计等。此外，第3版还新增了一些较新和较深的内容，如快闪存储器（Flash Memory)、铁电存储器（FRAM）、锁相环（PLL）等，因此第3版明显地具有集成电路深亚微米时代的特点。 本书可用作高等院校电子信息、自动控制、电气工程、精密仪器等专业本科高年级演密仪器等专业本科高年级和研究生有关集成电路课程的教材。全书共分11章，其中第1-8章为最基本的内容，第9-11章可根据不同的教学计划和教学要求选择不同的内容。本书各章中内容较深的部分可供讲授研究生课程时选用。由于本书内容选进详实，因此对于从事集成电路设计的工程技术人员来说也是一本不可多得的优秀参考书。

凡是读过美国加州伯克利大学David A. Hodges教授等所著的《Analysis and Design of Digital Integrated Circuits》第1版和第2版的读者一定会被书中新鲜的内容和深刻的分析所吸引，无论是大学教师、大学生还是研究生都一直把这本书看成是一本出类拔萃的优秀教材和自己跋涉在数字集成电路领域中的良师益友。现在这本书也随着集成电路的飞速发展进入了深亚微米时代，这就是最近由美国McGraw-Hill出版的《Analysis and Design of Digital Integrated Circuits: In Deep Submicron Technology》（第3版）。 本书的第3版，把当前数字集成电路中已无可争议地占绝对主导地位的CMOS电路技术作为本书的主要内容。正如该书书名本身所表明的那样，全书以当前工业界领先的0.18微米和0.13微米的工艺技术为基础，注入了许多深亚微米领域电路设计方面的资料，如最先进的电路制造工艺、BSIM3短沟器件模型、深亚微米的互连技术和时钟技术、基于逻辑力度（Logic Effort）的高速CMOS电路设计技术以及电源网络设计等。第3版还新增了一些较新和较深的内容，如快闪存储器（Flash Memory）、铁电存储器（FRAM）、锁相环（PLL）等，因此第3版明显地具有集成电路深亚微米时代的特点。 非常高兴看到清华大学出版社出版这本优秀教材的影印版以飨国内广泛读者。考虑到原书附录中有关SPICE程序的内容一般在国内的大学教学计划中已包括在先修的电工和电子学课程中，学生们一般都已非常熟练使用这一...