霍宗亮,中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师，中国科学院人才引进计划学者，中国科学院微电子研究所存储器中心主任，中国科学院大学微电子学院存储器教研室主任。于2016-2017学年开设“存储器工艺与器件”课程，承担或参与了包括02重大专项、重点研发、自然科学基金、中科院STS等多个国家级和院级科研项目，在长期的闪存技术研究工作中，在闪存器件存储材料筛选和工艺、器件结构优化设计、存储机理、器件可靠性、集成工艺技术和芯片设计技术等方面形成了特色。近五年发表了50余篇高质量论文，申请了70于项专利，科研成果受到了学术界和业界的关注和肯定，部分成果已经应用于存储产品当中。同时获得了中国科学院微电子研究所科研成果一等奖、集成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖等诸多奖项。完成了多项三维存储器前沿探索和工程研发任务，与长江存储公司深度合作，在成功研发出我国第一代32层3D NAND存储芯片的基础上，连续突破并掌握第二代64层、第三代128层3D NAND存储器的核心技术，已成功实现产品量产，达到世界前沿技术水平。