目录
第1章湿法清洗技术发展史
1.1半导体清洗工艺的起源（1950—1970年代）
1.1.1技术背景与初期挑战
1.1.2里程碑技术突破
1.1.3技术演进关键点
1.1.4局限性及遗留问题
1.2标准化演进： RCA清洗体系的建立与影响
1.2.1RCA清洗体系的诞生背景
1.2.2技术局限性与改进
1.2.3产业影响与历史地位
1.3技术变革： 从微米到纳米节点的挑战与突破
1.3.1技术转折点： 微米时代的瓶颈
1.3.2纳米级清洗的核心突破
1.3.3纳米节点的标志性挑战与方案
1.3.4技术变革的产业影响
1.4绿色化学与可持续清洗的发展趋势
参考文献
第2章湿法清洗理论基础
2.1表面污染机理
2.1.1颗粒污染
2.1.2有机物污染机理
2.1.3离子污染机理
2.1.4自然氧化层形成机理
2.2清洗热力学与动力学模型
2.2.1清洗热力学基础与模型
2.2.2清洗动力学模型与速率控制
2.2.3模型应用
2.3化学溶液作用机理
2.3.1表面电势机理
2.3.2氧化作用机理
2.3.3络合作用机理
2.3.4溶解作用机理
2.4界面现象与表面张力控制
2.4.1界面现象与表面特性
2.4.2表面张力控制技术
2.5超纯水与化学品纯度标准
2.5.1超纯水纯度标准与制备工艺
2.5.2化学品纯度标准与污染控制
参考文献
第3章表征及量测
3.1缺陷监测技术
3.1.1光学检测技术
3.1.2缺陷复检技术
3.1.3离子分析
3.1.4有机物残留表征
3.2表面状态分析
3.2.1表面浸润性
3.2.2粗糙度与形貌分析
3.2.3表面电势测量
3.3在线监控技术
3.3.1浓度在线监测
3.3.2气体在线监测
3.3.3温湿度在线监测
3.3.4实时电导率/TOC监测
参考文献
第4章湿法清洗化学体系
4.1酸碱类清洗液
4.1.1氨水-过氧化氢混合溶液（SC-1）
4.1.2盐酸-过氧化氢混合溶液（SC-2）
4.1.3氢氟酸溶液
4.1.4硫酸-过氧化氢混合物溶液
4.1.5稀硫酸-过氧化氢-氢氟酸混合液
4.1.6磷酸溶液
4.1.7硝酸溶液
4.2有机类清洗液
4.2.1纯溶剂类光刻胶清洗液
4.2.2有机胺及溶剂类光刻胶去除剂
4.2.3半水性氟基光刻胶清洗液
4.2.4半水性光刻胶清洗液
4.2.5先进制程光刻胶清洗液
4.3功能性化学液
4.3.1功能水
4.3.2氢气功能水
4.3.3氮气功能水
4.3.4二氧化碳去离子水
4.3.5臭氧化去离子水
4.3.6稀氨水/双氧水功能水
4.4化学品回收与循环技术
4.4.1回收原理与分类
4.4.2药液回收类型与监控指标
4.4.3酸碱类化学品回收
4.4.4溶剂类化学品回收
4.4.5特殊化学品回收
4.4.6回收系统的设计与实施
参考文献
第5章工艺物理机理
5.1物理清洗技术
5.1.1刷洗技术
5.1.2高压液体喷射清洗
5.1.3双流体喷雾清洗
5.1.4超级喷雾技术
5.1.5声波清洗
5.2干燥技术
5.2.1干燥工艺的重要性与挑战
5.2.2旋转干燥技术
5.2.3马兰戈尼效应干燥技术
5.2.4IPA蒸气干燥技术
5.2.5高温IPA干燥技术
5.2.6药液改性干燥技术
5.2.7升华干燥
5.2.8超临界干燥技术
5.2.9技术比较与发展趋势
参考文献
第6章硅片制造中的湿法设备
6.1硅片制造的基本工艺流程
6.1.1拉晶
6.1.2切割
6.1.3研磨
6.1.4抛光
6.1.5清洗
6.2单片式湿法设备
6.2.1单片式湿法清洗及湿法刻蚀设备
6.2.2单片式刷洗设备
6.2.3背面清洗设备
6.3槽式清洗设备
6.4单片式+槽式组合设备
6.5超临界清洗设备
6.6单片式预清洗湿法设备
6.6.1预清洗机
6.6.2终清洗机
6.7先进封装机台介绍
6.7.1先进封装涂胶设备
6.7.2先进封装显影设备介绍
6.7.3先进封装湿法去胶设备
6.7.4先进封装金属刻蚀设备
6.7.5封装先进制程设备介绍
参考文献
第7章集成电路制造工艺介绍
7.1半导体前段制造工艺流程简介
7.1.155nm前段工艺简介
7.1.228nm前段工艺简介
7.1.3湿法工艺在集成电路制造中的作用
7.1.4先进制程发展中的前道湿法设备迭代
7.2半导体中段制造工艺流程简介
7.2.1中段工艺简述
7.2.2中段集成电路关键湿法设备
7.3半导体后段制造工艺流程简介
7.3.1后道工艺简述
7.3.2后道湿法清洗在工艺中的作用
7.3.3后道集成电路关键湿法设备
参考文献
第8章先进封装工艺及设备
8.1凸块技术及重布线层
8.2高密度扇出型技术
8.32.5D/3D集成技术
8.3.1CoWoS 集成技术
8.3.2HBM集成技术
8.3.3芯粒集成技术
参考文献
第9章电镀技术基础
9.1电沉积与电镀
9.1.1法拉第定律
9.1.2电极电位与沉积金属类型
9.1.3金属的阴极还原过程
9.2电镀技术的电场特点
参考文献
第10章集成电路电镀设备的组成
10.1电镀设备的总体论述
10.1.1电镀设备的组成和功能
10.1.2电镀设备的分类和选型
10.1.3电镀设备的总体设计原则
10.2电镀模块
10.3清洗模块
10.4退火模块
10.5电镀机台环境系统
10.6国内外主要商业型电镀设备
10.7国内外先进电镀设备
10.7.1国内先进电镀设备——Ultra ECP map
10.7.2国外先进电镀设备——Lam Sabre
参考文献
第11章集成电路电镀工艺与电镀质量控制
11.1电镀工艺流程
11.1.1电镀前处理
11.1.2电镀过程控制
11.1.3电镀后处理
11.2电镀技术主要工艺参数
11.2.1电镀的电场设计
11.2.2电镀液流场分布
11.3电镀工艺缺陷分析与解决
11.3.1电镀表面质量的特点
11.3.2电镀可能产生的缺陷及相应防止措施
11.3.3电镀镀层应力
11.4电镀液的配方与维护
11.4.1电镀液的作用、要求及分类
11.4.2电镀液选择原则及常用电镀液
参考文献
第12章集成电路电镀主要表征技术指标和解决方案
12.1集成电路电镀主要应用
12.1.1铜互连双大马士革互连电镀
12.1.2晶圆级先进封装电镀
12.1.3化合物半导体电镀
12.1.4先进面板电镀
12.2电镀应用技术指标
12.2.1薄膜内颗粒
12.2.2电阻率及均匀性
12.2.3应力
12.2.4反射率
12.2.5图形填充能力
12.3小结
参考文献
第13章先进电镀技术的发展趋势与挑战
13.1电镀金属材料
13.2钴电镀
13.2.1钴互连工艺
13.2.2电沉积钴镀液
13.2.3电沉积钴填充机理
13.2.4电沉积钴设备及工艺
13.3欠电位沉积
13.4高电流密度电镀
13.5小结
参考文献
