随着我国航天事业的快速发展，航天工程对适应于空间环境的抗辐射集成电路的需求不断增加，质量等级要求不断提高。编者试图为读者尽可能全面地、系统地介绍抗辐射集成电路研制过程中所需要的相关基础知识。

本书主要研究辐射环境下电子系统所需的集成电路，要求读者具有半导体物理、半导体器件、集成电路设计等方面的基础知识。本书可作为高等学校电子科学与技术、微电子学与固体电路专业类选修教材，或从事相关研究的科技人员的参考书。

本书第1章介绍抗辐射集成电路技术发展过程。第2、3章介绍辐射环境及辐射效应的背景知识。第4章介绍双极类集成电路的抗辐射设计方面的技术。第5章介绍MOS类集成电路的抗辐射设计方面的技术。微处理器、存储器以及现场可编程门阵列（FPGA）电路是航天电子系统中常用核心器件，第6、7、8章分别介绍微处理器、存储器和FPGA类集成电路的抗辐射设计方面的技术。虽然CMOS代工厂（Foundry）可以提供完整的设计规则、模型参数，甚至完善的标准单元库或IP核，但是这些参数、单元库和IP核通常不包含抗辐射方面的信息，需要设计公司（Fabless）自己设法提取这些信息，所以在第9章安排了模型参数方面的知识。集成电路常规可靠性测试、试验方法相对比较成熟，但是对集成电路抗辐射性能的完备的、正确的评估是非常复杂和极其困难的，所以在第10章安排了集成电路抗辐射性能评估技术方面的知识。

本书系“微电子与集成电路技术丛书”之一，这套丛书是在清华大学出版社的大力支持下，由国际知名EDA厂商新思科技赞助，国家集成电路人才培养基地专家指导委员会组编而成的。清华大学王志华教授作为丛书主编，做了大量的工作。

在本书编写过程中，参考了国内外有关单位和学者的著作和文章，在此一并表示感谢。书中有些内容是编者研发团队的成果，借此机会向我的同事和学生们表示真诚的感谢。

北京微电子技术研究所的赵元富研究员作为本书主审，在审阅中，提出许多宝贵意见。在此表示衷心的感谢。

由于编者水平有限，书中难免存在错误和不足，恳请读者批评指正。

编者2010年12月于北京