





定价:69元
印次:1-4
ISBN:9787302124511
出版日期:2006.02.01
印刷日期:2011.12.30
图书责编:文怡
图书分类:教材
本书是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“Semiconductor Physics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 与原书相比,本书更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用本书,学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 另外,本书还尽量保持了原书的主要优点: (1) 注重基本概念和方法。本书从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。 (2) 可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是本书突出的特点。本书的第1章至第4章介绍了固体晶格结构、固体的量子理论和半导体物理的基本知识,为后续的半导体器件分析打下了基础。第5章至第10章是全书的重点,详细讨论了PN结二极管、MOSFET和BJT器件的原理和分析方法。第11章和第12章介绍了一些其他类型的半导体器件,包括异质结器件、功率器件、MEMS器件和半导体光电器件等。从上述内容安排上我们不难看出,本书十分符合目前国内高等院校电子信息类各专业在“微电子器件与电路”方面开设公共平台课的教学需求。 本书的作者Neamen教授在美国新墨西哥大学任教长达25年,且与工业界合作密切,书中很多内容(包括例题和习题)反映了工业界的最新发展,因此本书不仅是一本很好的教科书,同时对微电子领域的工程技术人员也具有很高的参考价值。
To the many students I*ve had the privilege of teaching over the years who have contributed in many ways to the broad field of electrical engineering, and to future students who will contribute in ways we cannot now imagine. ABOUT THE AUTHOR Donald A. Neamen is a professor emeritus in the Department of Electrical and Computer Engineering at the University of New Mexico where he taught for more than 25 years. He received his Ph.D. from the University of New Mexico and then became an electronics engineer at the Solid State Sciences Laboratory at Hanscom Air Force Base. In 1976, he joined the faculty in the ECE department at the University of New Mexico, where he specialized in t...
Preface xvii
Chapter 1 The Crystal Structure of Solids 1
Chapter 2 Theory of Solids 31
Chapter 3 The Semiconductor in Equilibrium 70
Chapter 4 Carrier Transport and Excess Carrier Phenomena 128
Chapter 5 The pn Junction and Metal每Semiconductor Contact 174
Chapter 6 Fundamentals of the Metal每Oxide每Semiconductor
Field-Effect Transistor 223
Chapter 7 Metal每Oxide每Semiconductor Field-Effect Transistor:
Additional Concepts 311
Chapter 8 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductors 358
Chapter 9 The pn Junction and Schottky Diodes 398
Chapter 10 The Bipolar Transistor 460
Chapter 11 Additional Semiconductor Devices and Device
Concepts 546
Chapter 12... 查看详情