3D是一种全新的技术，不仅是因为它的多层结构，还因为它是一种基于新型NAND的存储单元。在第1章介绍3D FLASH的市场趋势后，本书的2~8章介绍3D FlASH的工作原理、新技术以及应用架构，包括电荷俘获和浮栅技术（包括可靠性和可缩小性这两种性质在两种技术之间的对比，以及大量不同的材料和垂直架构）、3D堆叠NAND、BiCS和P-BICS、3D浮栅技术、3D VG NAND3D先进架构和RRAM交叉点阵列等。第9~12章探讨了3D FLASH的系统级先进技术，包括多级存储和芯片堆叠等封装技术创新；基于低密度奇偶校验码的最新商业解决方案的演化进程；TLC/QLC与若干3D层的组合需要的非对称代数码和非二进制LDPC码等校正技术；以及从系统的角度看3D Flash的含义。

本书是关于三维存储器的专业书籍，着眼于3D NAND闪存技术发展的未来，结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势，全面介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等，同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容

前言 1903年，莱特兄弟第一次使动力飞机进入第三维度。在实现这远古的梦想之后，飞行更快、更安全、更持久的预测更加迫切。实际上，实现类似这种第一次动力飞行的突破是非常重要的。但是更重要的是，实现这种不可预见的成果对于我们来说是让人振奋的。很少有人能预测到在莱特兄弟第一次飞行之后，仅66年后人类便在月球表面留下脚印。 半导体产业几乎占据我们生活的所有部分，并且悄悄地用其他方法将精确制造的规模缩小到难以想象的程度。非易失性存储器(NVM)的晶圆通常包含数万亿的单元。虽然具有挑战性，但根据摩尔定律(Moores Law)，2D集成电路上的元件密度将每年翻一番，并且两年会发生一次。在1965年时，很难预测到互联网、智能手机、自动驾驶的发明，这些可能很大程度基于摩尔定律。 元件数量加倍的速度减缓到了2.5年。但是仍然达到摩尔定律的无法预测的转折点。元件密度在3D空间可以继续增长。其他技术也在不断增加“额外”的维度，包括压敏触摸屏、视频动作捕捉、自动导航、3D打印和无人机。 传统的2D半导体工艺显然包括第三维度。材料的厚度多种多样。器件由多层材料和形状组成，夹层互连使其很复杂。此外，FinFET 3D晶体管已经在微处理机应用几年。然而，3D NAND闪存目前所用的工艺完全不同。2D工艺制造的器件可在晶圆的X-Y平面完全枚举，但是3D闪存也在Z方向即垂直于晶圆的平面制造器件。正如戈登摩尔(Gordon Moore)在1965发表的对半导体制造的未来预测，我们无法预测额外的维度在尺寸缩小中带来的益处。 将3D半导体处理仅仅作为一个渐进的步骤是目光短浅的。新增加的Z向维度使同...