第1章集成电路制造技术概论

1.1集成电路的发展历史与趋势

1.1.1集成电路技术发展历史

1.1.2ITRS发展路线图及未来趋势

1.1.3集成电路的分类

1.2微结构的概念

1.2.1MEMS器件

1.2.2生物芯片

1.2.3量子器件与纳电子器件

1.3微结构制造流程举例

1.3.1Bipolar工艺

1.3.2CMOS工艺

1.3.3非主流微结构制造技术

1.3.4后道封装技术及模块化技术

小结

参考文献

第2章新材料生成类工艺

2.1化学气相淀积

2.1.1化学气相淀积原理

2.1.2化学气相淀积的种类

2.1.3化学气相淀积工艺设计原则

2.2物理淀积

2.2.1蒸发和溅射

2.2.2涂覆

2.3硅外延和多晶硅的化学气相淀积

2.3.1硅外延

2.3.2外延中引入掺杂剂

2.3.3图形外延和选择性外延

2.3.4硅外延中的缺陷

2.3.5多晶硅的化学气相淀积

2.4化学气相淀积SiO2薄膜

2.4.1化学气相淀积不掺杂SiO2薄膜

2.4.2化学气相淀积掺杂SiO2薄膜

2.5化学气相淀积氮化硅薄膜

2.6金属化

2.6.1铝薄膜淀积

2.6.2钨塞

2.6.3铜薄膜淀积

2.7薄膜的台阶覆盖

2.8薄膜测量

2.8.1薄膜厚度的测量

2.8.2薄膜电阻的测量

2.9真空技术

2.9.1真空的概念与划分

2.9.2真空系统与真空泵

小结

参考文献

第3章改变材料层属性的工艺（I）

3.1热氧化

3.1.1热氧化硅

3.1.2热氧化工艺

3.1.3热氧化对杂质再分布的影响

3.1.4热氧化层中的电荷

3.1.5热氧化硅在集成电路制造工艺中的应用

3.2杂质扩散

3.2.1杂质在硅中的扩散

3.2.2Fick扩散方程和杂质分布

3.2.3杂质扩散与再分布

3.3离子注入

3.3.1离子注入原理

3.3.2离子注入退火与杂质再分布

3.3.3离子注入机的结构与分类

3.3.4离子注入的其他应用

3.4金属硅化物

3.4.1金属硅化物的特性

3.4.2金属硅化物的形成

3.4.3金属硅化物在集成电路中的应用

小结

参考文献

第4章改变材料层属性的工艺（II）

4.1刻蚀

4.1.1刻蚀工艺简介

4.1.2湿法腐蚀

4.1.3干法刻蚀

4.1.4SiO2刻蚀

4.1.5多晶Si刻蚀

4.1.6Si3N4刻蚀

4.1.7Al刻蚀

4.1.8高密度等离子体技术

4.2刻蚀设备

4.2.1刻蚀设备的总体结构

4.2.2等离子体产生技术

4.3刻蚀机的操作编程

4.4其他的材料去除工艺

4.4.1CMP与减薄

4.4.2改变材料属性工艺的作用强度

小结

参考文献

第5章定位工艺技术

5.1光刻工艺过程

5.1.1光刻的作用、重要性与实现方法

5.1.2曝光过程与摄影过程的比较

5.1.3光刻技术的发展

5.1.4光刻工艺过程

5.2曝光原理

5.2.1曝光光路

5.2.2曝光系统的分辨率

5.2.3相干及扩展光源成像

5.2.4照明

5.2.5焦深

5.2.6影响曝光效果的光学效应

5.3光刻机的结构组成

5.3.1步进式光刻机的总体结构

5.3.2空调腔室

5.3.3灯室

5.3.4版搬送机构和版台

5.3.5硅片搬送机构和硅片台

5.3.6激光干涉仪

5.3.7镜头

5.3.8性能指标

5.3.9先进光刻机技术特点

5.4光刻机的使用维护

5.4.1使用与维护

5.4.2制版

5.4.3曝光作业编程

5.5其他光刻工艺设备

5.5.1HMDS熏烘

5.5.2涂胶机

5.5.3显影机

5.5.4镜检装置

小结

参考文献

第6章流程运行调度技术

6.1调度问题概述

6.1.1一般性的调度问题

6.1.2集成电路制造中的作业调度

6.2流水线式调度

6.2.1流水线式调度算法

6.2.2调度算法与实例

6.3流水线式调度特点及应用的讨论

小结

参考文献

第7章新颖性工艺技术前瞻

7.1SiGe材料、器件与电路

7.1.1SiGe材料及技术

7.1.2SiGe HBT器件

7.1.3SiGe HBT器件的制造工艺

7.1.4SiGe平面集成工艺

7.2应变硅材料与器件

7.2.1应变硅的基本概念

7.2.2应变硅技术及应用

7.3ALD工艺技术

7.3.1ALD生长机理

7.3.2ALD技术的应用

7.4激光退火与超浅结制作

7.4.1集成电路制造技术发展与激光退火

7.4.2超浅结激光退火的技术与装置考虑

小结

参考文献