目录
第1章微电子技术中的薄膜应用
1.1引言
1.2金属氧化物半导体场效应晶体管
1.2.1自对准硅化物接触和栅极
1.3倒装焊中的薄膜下凸点金属化
1.4计算机为什么很少出现可靠性故障
1.5从微电子技术到纳米电子技术的发展趋势和转变
1.6摩尔定律的终结对微电子学的影响
参考文献
第2章薄膜沉积
2.1引言
2.2薄膜沉积中的通量方程
2.3薄膜沉积速率
2.4理想气体状态方程
2.5气体分子的动能
2.6表面上的热平衡通量
2.7超高真空对沉积膜纯度的影响
2.8气体分子碰撞频率
2.9玻尔兹曼速度分布函数和理想气体状态方程
2.10麦克斯韦速度分布函数和气体分子的动能
2.11影响薄膜微结构的形核和生长参数
参考文献
习题
第3章表面能
3.1引言
3.2原子间相互作用势能，键能和结合能
3.3短程相互作用和准化学假设
3.4表面能和潜热
3.5表面张力
3.6通过毛细效应测量液体的表面能
3.7零蠕变法测量固体的表面能
3.8表面能系统分类
3.9表面能的大小
3.9.1热力学方法
3.9.2力学方法
3.9.3原子方法
3.10表面结构
3.10.1晶体学及其标志法
3.10.2晶向和晶面
3.10.3表面结构
参考文献
习题
第4章固体中的原子扩散
4.1引言
4.2跳跃频率和扩散通量
4.3菲克第一定律(通量方程)
4.4扩散系数
4.5菲克第二定律(连续性方程)
4.5.1连续性方程的推导
4.6扩散方程的一个解
4.7扩散系数
4.8扩散系数的计算
4.9扩散系数中的参数
4.9.1原子振动频率
4.9.2活化焓
4.9.3指数前因子
参考文献
习题
第5章扩散方程的应用
5.1引言
5.2菲克第一定律的应用(流量方程)
5.2.1齐纳的平面析出物生长模型
5.2.2Kidson对薄膜层状生长的分析
5.3菲克第二定律的应用(扩散方程)
5.3.1扩散对组分均匀化的影响
5.3.2体扩散偶中的互扩散
5.4固体析出物生长的分析
5.4.1Ham的球状析出物生长模型(Cr恒定)
5.4.2平均场理论
5.4.3通过熟化过程生长球形纳米颗粒
参考文献
习题
第6章薄膜中的弹性应力和应变
6.1引言
6.2弹性的应力-应变关系
6.3应变能
6.4薄膜中的双轴应力
6.5薄膜中双轴应力的斯托尼方程
6.6测量Al薄膜中的热应力
6.7斯托尼方程在热膨胀测量中的应用
6.8非谐效应和热膨胀
6.9薄膜中内应力的起源
6.10失配位错的弹性能
参考文献
习题
第7章薄膜表面动力过程
7.1引言
7.2表面上的吸附原子
7.3表面上的平衡蒸气压
7.4表面扩散
7.5阶梯介导的同质外延生长
7.6非晶薄膜的沉积和生长
7.7同质外延生长模式
7.8表面圆盘的同质成核
7.9图案化表面上的物质输运
7.9.1图案化表面扩散的早期阶段
7.9.2图案化结构上传质后期阶段
7.10表面上半球形粒子的熟化
参考文献
习题
第8章薄膜中的互扩散与反应
8.1引言
8.2硅化物的形成
8.2.1顺序硅化镍的形成
8.2.2硅化物形成的第一相
8.3薄膜反应中界面反应控制生长动力学
8.4两层相竞争生长动力学
8.5金属间化合物生成中的标记物分析
8.6单层金属与硅片的反应
参考文献
习题
第9章晶界扩散
9.1引言
9.2晶界扩散与体扩散的比较
9.3费舍晶界扩散分析
9.3.1穿透深度
9.3.2切片法
9.4维普的晶界扩散分析
9.5小角度的晶界扩散
9.6扩散诱发晶界运动
参考文献
习题
第10章互连和封装技术中的不可逆过程
10.1引言
10.2通量方程
10.3熵的产生
10.3.1热传导
10.3.2原子扩散
10.3.3导电性
10.4随温度变化的共轭力
10.4.1原子扩散
10.4.2电传导
10.5焦耳热
10.6电迁移、热迁移和应力迁移
10.7电迁移中的不可逆过程
10.7.1铝条的电迁移和蠕变
10.8热迁移中的不可逆过程
10.8.1未通电化合物焊点的热迁移
10.9热电效应中的不可逆过程
10.9.1汤姆孙效应和塞贝克效应
10.9.2珀尔帖效应
参考文献
习题
第11章金属中的电迁移
11.1引言
11.2欧姆定律
11.3金属互连中的电迁移
11.4电迁移的电子风力
11.5有效电荷数的计算
11.6背应力的影响及临界长度、临界积、有效电荷数的测量
11.7为什么在铝互连中存在背应力
11.8电迁移引起的背应力的测量
11.9电流拥挤
11.10电迁移的电流密度梯度力
11.11β-Sn各向异性导体中的电迁移
11.12各向异性导体中晶界的电迁移
11.13交流电迁移
参考文献
习题
第12章铝和铜互连中电迁移引发的失效
12.1引言
12.2原子通量发散引起的电迁移失效
12.3因电流拥挤的电迁移引起的失效
12.3.1电流密度区域的空隙形成
12.4铝互连中电迁移引起的失效
12.4.1Al微观结构对电迁移的影响
12.4.2多层Al线和W过孔磨损的失效模式
12.4.3Cu溶质对Al中电迁移的影响
12.4.4Al互连的平均故障时间
12.5Cu互连中电迁移引起的失效
12.5.1微观结构对电迁移的影响
12.5.2溶质对电迁移的影响
12.5.3应力对电迁移的影响
12.5.4纳米孪晶对电迁移的影响
参考文献
习题
第13章热迁移
13.1引言
13.2SnPb倒装焊点的热迁移
13.2.1未通电复合焊点的热迁移
13.2.2热迁移的现场观察
13.2.3两相共晶结构中相分离的随机状态
13.2.4未通电的共晶SnPb焊点的热迁移
13.3热迁移分析
13.3.1热迁移的驱动力
13.3.2共晶两相合金中的热迁移
13.4倒装焊点在直流或交流电应力下的热迁移
13.5无铅倒装焊点的热迁移
13.6无铅倒装焊点的热迁移和蠕变
参考文献
习题
第14章薄膜内应力迁移
14.1引言
14.2受压固体中的化学势
14.3扩散蠕变(纳巴罗-荷尔图方程)
14.4拉应力驱动下的Al互连结构的空洞生长
14.5压应力驱动下的Sn/Cu薄膜的晶须生长
14.5.1Sn晶须自发生长的形态学
14.5.2Sn晶须生长中的应力产生(驱动力)
14.5.3表面Sn氧化物对应力梯度产生的影响
14.5.4同步辐射微区衍射测量应力分布
14.5.5蠕变作用导致的应力弛豫：Sn晶须生长中的断氧化物
模型
参考文献
习题
第15章可靠性科学和分析
15.1引言
15.2定体积和非定体积流程
15.3不可逆过程中晶格位移对质量通量散度的影响
15.3.1电流密度、温度和化学势在器件运行前的初始分布
15.3.2器件运行期间分布的变化
15.3.3晶格位移对质量通量的影响
15.4倒装焊点电迁移失效的物理分析
15.4.1焊点结中电流密度的分布
15.4.2温度在焊点结中的分布
15.4.3电流拥挤效应对薄饼状空洞生长的影响
15.5倒装焊点电迁移失效的统计分析
15.5.1失效时间和韦布尔分布
15.5.2布莱克MTTF方程中的参数计算
15.5.3倒装焊点中布莱克方程的修正
15.5.4韦布尔分布函数和JMA相变方程
15.5.5失效统计分布的物理分析
15.6仿真
参考文献
习题
附录A热力学函数的简要回顾
附录B固体中的缺陷浓度
附录C亨廷顿电子风力的推导
附录D弹性常数表及换算
附录ESi MBE的阶梯状分布
附录F互扩散系数
附录G各种材料的物理性质汇总表
