拉扎维教授编著的《模拟CMOS集成电路设计》一书出版于2001年。由于其内容编排合理，讲述方式由浅入深，注重电路直观分析能力的培养，并安排了大量的例题及课后习题，该书一经面世，即在世界范围内引起了强烈反响，迅速被国内外各大高校采用为微电子、电子工程等专业的本科生或研究生教材，成为与P.R.Gray等编著的Analysis and Design of Analog Integrated Circuits齐名的模拟集成电路经典教材。 但是，从2001年至今，CMOS工艺已经发生了巨大变化，晶体管特征尺寸不断缩小，导致衡量晶体管性能的电路参数（跨导效率、特征频率和本征增益）发生了很大变化，加之电源电压不断下降导致传统电路拓扑结构的应用受到限制，期间也出现了新的模拟集成电路分析与设计方法，以上的这些因素都要求对原来的教材内容进行改写。本书第二版正是在此背景下编写的。该版在保留第一版编写特色的前提下，大幅增加了电路设计的叙述篇幅，如第11章专门讨论了纳米CMOS工艺下的电路设计策略和循序渐进的运算放大器设计方法，有利于培养读者的电路设计能力。该版本还引入了波特图和MiddleBrook分析法来分析反馈网络的特性，增加了奈奎斯特稳定性判据、鳍式晶体管（FinFET）、新偏置电路技术及低压能隙基准源等内容，有利于读者跟踪最新的模拟集成电路设计技术。该版本还增加了很多新的例题，并更新了课后习题。我相信改版后的这本教材更加适合于现阶段相关专业本科生和研究生课程教学的需要，也适合作为一线工作的集成电路设计工程师的常用参数书。 由McGraw-Hill出版社出版的《模拟CMOS集成电路设计（第2版）》共包含19章内容。清华大学出版社在引进影印版本时，根据国内教育教学情况进行了删减：（1）考虑到振荡器和锁相环属于高频电路内容，专门的通信电路或射频电路教材均会对其进行详细介绍，将原版本中的第15章“振荡器”和第16章“锁相环”相关内容删除；（2）考虑到国内相关专业普遍开设了专门的“半导体器件物理”“集成电路工艺”等课程，将原版本中的第16章“MOS器件与模型”和第17章“CMOS制造工艺”相关内容删除。

作者简介： 作者简介 毕查德•拉扎维(Behzad Razavi)，1985年在谢里夫理工大学取得电子工程学士学位，1988年和1992年在斯坦福大学取得电子工程硕士学位和电子工程博士学位。毕业后至1996年期间，他在AT&T贝尔实验室和惠普实验室工作。从1996年开始，他先后以副教授和教授身份在加州大学洛杉矶分校工作。他当前的研究领域包括无线收发机、频率合成器、应用于高速数据通信的锁相环、时钟恢复电路和数据变换器。 拉扎维教授在1992—1994年担任普林斯顿大学的兼职教授，在1995年担任斯坦福大学的兼职教授。1993—2002年，他担任国际固态电路会议（ISSCC）的技术程序委员会委员，1998—2002年，他担任超大规模集成电路会议（VLSI）的技术程序委员会委员。他也曾担任IEEE固态电路杂志（JSSC）、IEEE电路和系统汇刊、国际高速电子学杂志的客座编辑和副主编。 拉扎维教授获得过1994年ISSCC会议Beatrice卓越编辑奖、1994年欧洲固态电路会议上最佳论文奖、1995年和1997年ISSCC会议最佳专题研讨会奖、1997年TRW创新教学奖、1998年IEEE定制集成电路会议最佳论文奖、2001年McGraw-Hill年度最佳新书奖。他是2001年ISSCC Jack Kilby优秀学生论文奖和Beatrice卓越编辑奖的共同获奖人。他获得过2006年Lockheed Martin卓越教学奖、2007年UCLA教员Senate教学奖、2009年和2012年CICC最佳邀请论文奖。他是2012年VLSI电路会议最佳学生论文奖和2013年CICC最佳论文奖的共同获奖人。他还是ISSCC 50年历史上发表论文最多的10个作者之一。他获得过2012年固态电路Donald Pederson奖和2014年美国工程教育协会PSW教学奖。 拉扎维教授是IEEE杰出讲演人，IEEE院士。他是Principles of Data Conversion System Design、RF Microelectronics、Design of Analog CMOS Integrated Circuits、Design of Integrated Circuits for Optical Communications和Fundamentals of Microelectronics的作者以及Monolithic Phase-Locked Loops and Clock RecoveryCircuits和Phase-Locking in High-Performance Systems的主编。 编译者简介 池保勇，1998年和2003年分别在北京大学和清华大学获得学士和博士学位；2003年8月留校工作至今，现为清华大学微纳电子系/微电子所教授，副系主任/副所长，曾在Stanford大学访问进修一年。主要研究方向为射频/毫米波集成电路设计，曾经以负责人身份主持多项国家重要科研项目。在国内外重要期刊和国际会议上发表论文200余篇。曾获得2005年和2011年霍英东教育基金、2009年清华大学学术新人奖等奖励，并入选2008年教育部新世纪优秀人才支持计划。担任IEEE A-SSCC的TPC成员和《中国科学：信息科学》中英文版栏目编委。

第2版前言 　　当我将这本书第1版的出版提案交给出版商时，他们向我提出了两个问题： ①在数字化世界中，模拟电路书籍有什么样的未来需求？②出版一本仅介绍CMOS工艺的电路设计书籍是否明智？这本书标题中的关键词“模拟”和CMOS正好反映了他们的问题。 　　幸运的是，这本书出版后受到了学生、教师和工程师的热烈欢迎，已经被世界范围内的数百所高校采用为教材或参考书，翻译成五种语言，并被引用6500余次。 　　从这本书的第1版出版至今，尽管模拟电路设计的许多基本原理没有变化，但由于下面的这些原因，需要对这本书进行改版： CMOS工艺向更小尺寸、更低电源电压的技术迁移，新的分析与设计方法以及某些内容需要更详细的阐述。这次改版主要体现在如下方面：  更加强调现代CMOS工艺，并汇聚成新增加的一章(第11章)，该章讨论了纳米CMOS工艺下的设计策略和循序渐进的运算放大器设计方法；  通过引入波特图和Middlebrook分析法，扩展了反馈内容；  考虑到通常使用的波特图判据无法用来判断某些通用系统的稳定性，增加了使用奈奎斯特判据进行稳定性分析的新章节；  增加了鳍式晶体管(FinFET)的内容；  增加了边栏突出纳米CMOS电路设计的重要知识点；  增加了偏置电路技术的新章节；  增加了介绍低压能隙基准源的内容；  新增加了100多个例题。 　　一些任课教师问我们为何仍以平方率器件来开始讲解。这主要有两个原因： ① 这样的安排作为一个直观的切入点，为分析放大器的可允许电压摆幅等性能提供了特别的价值； ②尽管16nm及更先进工艺的Fi...