巨磁阻器件是目前商业化最为成功的磁学器件，广泛应用于计算机硬盘的磁头中。最初发现GMR效应的科学家Albert Fert和Peter Grünberg也因此获得2007年度的诺贝尔物理学奖。 从器件发展的趋势来看，信息的载体从最初的成千上万个电子减少到几百个、几十个甚至少于十个电子，很自然地又发展到利用电子的自旋作为信息的载体。这是集成电路向着更低功耗、更高速度发展的要求决定的。随着对各种自旋效应研究的深入，自旋电子学和自旋电子器件已经成为当今研究的热点。已有很多关于巨磁阻和隧道磁阻效应的专著，对于该领域的研究者有很大的帮助，但是我注意到，从工程角度研究巨磁阻器件的著作并不多。我国在磁学器件方面的研究有很好的基础，但是迫切需要一本从工程科学角度给相关的研究者以启发的著作。当我发现Giant MagnetoResistance Devices这本书时，立刻就意识到这本书一定会对国内磁学器件研究者很大的帮助。 本书包含了巨磁阻效应、隧道磁阻效应以及基于这两种效应的器件，从材料、工艺到器件物理，可作为凝聚态物理磁学部分和器件之间的一个桥梁。本书还介绍了一些新型的自旋电子器件。 本书的三位作者都是国际著名的磁学专家，如果仔细阅读，会发现可能其中的某一句话都是建立在大量实验研究的基础上的。因此，相信磁学和自旋电子学领域的研究人员能从本书中找到感兴趣的内容。

译者邓宁，2002年在西安交通大学电信学院获得博士学位。 2002年9月进入清华大学微电子所博士后流动站，2003年出站留校。2005年晋升为副教授。主讲半导体物理与器件。2008年5月-7月在荷兰TUDelft做访问学者； 2008年10月—2009年9月在美国UCLA做访问学者，从事自旋器件和存储的研究。 在国内外重要学术期刊和会议发表论文50余篇。专利8项，授权3项。获第十一届霍英东基金及教育部骨干教师计划资助。目前主要研究方向为自旋电子器件和自旋非挥发存储器的研究。�

序 金属磁性多层膜中的巨磁电阻（GMR）效应的发现不仅带动了整个自旋电子学的发展，而且在商业上也取得了巨大的成功。GMR效应曾经被广泛使用在计算机硬盘读出磁头中，带来硬盘面存储密度的飞速发展。虽然目前的读出磁头已经被更新换代为隧穿磁电阻（TMR）材料，但下一代超高存储技术中的读出磁头极可能又要利用电流垂直于平面（CPP）模式的GMR效应。两位最初发现GMR效应的科学家Albert Fert和Peter Grünberg因此获得2007年度的诺贝尔物理学奖。 Giant MagnetoResistance Devices这本书是一部自旋电子学方面的经典之作，它对GMR、TMR、磁随机存储器(MRAM)、自旋晶体管、单电子器件等均有详细的介绍。其中作者Koichiro Inomata教授是我在日本东北大学做博士后期间的合作导师。他是国际知名的磁学专家，曾担任过日本东芝公司的首席研究员（Toshiba Fellow），在东芝公司的研发中心长期从事磁性材料与器件的研发，2000—2006年任日本东北大学工学部材料科学系教授，2006年起被聘为日本国立物质材料研究机构（NIMS） 的Fellow。Koichiro Inomata教授分别在1994年获得美国国家科学与技术联合会“材料科学研究实质进步奖”、2000年获日本总理颁发的紫绶勋章、2002年获日本磁学会科学成就奖。他对MRAM相关的自旋电子学器件的研究获得了国际社会的广泛关注和高度评价，被誉为研究MRAM和自旋电子学器件的重要贡献者之一。我在日本做博士后期间就接触到Giant MagnetoResistance Dev...