本书共10章，基于公开文献全方位地介绍了低温等离子体蚀刻技术在半导体产业中的应用及潜在发展方向。以低温等离子体蚀刻技术发展史开篇，对传统及已报道的先进等离子体蚀刻技术的基本原理做相应介绍，随后是占据了本书近半篇幅的逻辑和存储器产品中等离子体蚀刻工艺的深度解读。此外，还详述了逻辑产品可靠性及良率与蚀刻工艺的内在联系，聚焦了特殊气体及特殊材料在等离子体蚀刻方面的潜在应用。最后是先进过程控制技术在等离子体蚀刻应用方面的重要性及展望，以及虚拟制造在集成电路发展中的应用。 本书可以作为从事等离子体蚀刻工艺研究和应用的研究生和工程技术人员的参考书籍。

张海洋，休斯敦大学化工系博士。现任中芯国际集成电路制造（上海）有限公司技术研发中心蚀刻部门主管，教授级高级工程师,享受国务院政府特殊津贴。专注于先进集成电路制造中成套等离子体蚀刻工艺研发以及国产蚀刻机台在高端逻辑制程中的验证。入选国家万人计划领军人才、科技部中青年科技创新领军人才、上海市先进技术带头人计划。持有半导体制造领域国际专利八十余项，指导发表国际会议文章6０篇。

前言 未来十年是以开放式创新为标识的物联网高速发展的时期，是新硬件时代即将开启的黎明。全球物联网规模化的期望已经使世界半导体行业成为蓝海。芯片技术、传感器、云计算的有机结合会让万物相连和无处不在的高度智能化成为可能。而低功耗、小尺寸和稳定性强的芯片是实现未来的智能家居、可穿戴设备、无人驾驶汽车、多轴无人飞行器、机器人厨师等新生事物的基石。顺应时代的需求，2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》出台，并推出十年千亿扶植基金计划。2015年政府工作报告中首次提出“中国制造2025”规划,其中集成电路放在新一代信息技术产业的首位。这些对于集成电路制造业核心工艺技术之一的低温等离子体蚀刻的发展无疑既是机遇又是严峻的考验和挑战。 在摩尔定律提出50周年的2015年，英特尔、三星、台积电等公司均进入14/16nm FinFET工艺量产阶段。2016年在台积电公司的2020年技术路线发展蓝图上，EUV工艺因其提高密度、大幅简化工艺而第一次成为5nm量产标配。2016—2020年这5年间，10nm、7nm甚至5nm依次量产，由此可见技术节点更迭依然摧枯拉朽，丝毫不见摩尔定律脚步迟滞的迹象。FinFET教父胡正明教授在2016年坦言： 半导体行业还有百年的繁荣。5nm之后， 可预见到的还有7~8个技术节点， 未来集成电路的发展方向大体可以分成三类： ①依靠半导体制造工艺改进持续缩小数字集成电路的特征尺寸的More Moore； ②依靠电路设计以及系统算法优化提升系统性能的More than Moore； ③依靠开发CMOS以外的新器件提升集成电路性能的Beyond CMOS...