存储器是半导体产业的基石之一。随着全球物联网、大数据中心、智能家居、穿戴设备等应用带动的数据存储市场的快速增长，NAND存储器日益成为当前存储器市场的主流。本教材重点介绍半导体存储器分类、闪存技术、3D NAND Flash阵列、制造工艺、操作、电学特性与可靠性以及电路设计。本教材可供高等院校的高年级本科生和研究生，集成电路和存储器方向研发工程师、制造工程师参考，为中国存储器事业添砖加瓦，推动科学创新产业化。

霍宗亮,中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师，中国科学院人才引进计划学者，中国科学院微电子研究所存储器中心主任，中国科学院大学微电子学院存储器教研室主任。于2016-2017学年开设“存储器工艺与器件”课程，承担或参与了包括02重大专项、重点研发、自然科学基金、中科院STS等多个国家级和院级科研项目，在长期的闪存技术研究工作中，在闪存器件存储材料筛选和工艺、器件结构优化设计、存储机理、器件可靠性、集成工艺技术和芯片设计技术等方面形成了特色。近五年发表了50余篇高质量论文，申请了70于项专利，科研成果受到了学术界和业界的关注和肯定，部分成果已经应用于存储产品当中。同时获得了中国科学院微电子研究所科研成果一等奖、集成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖等诸多奖项。完成了多项三维存储器前沿探索和工程研发任务，与长江存储公司深度合作，在成功研发出我国第一代32层3D NAND存储芯片的基础上，连续突破并掌握第二代64层、第三代128层3D NAND存储器的核心技术，已成功实现产品量产，达到世界前沿技术水平。

前言 随着大数据、云计算、物联网的兴起，人类社会的工作和生活产生了海量的数据。这些海量数据对新一代存储技术提出了新要求： 大容量、高速率、低成本。NAND Flash作为存储容量大、读写速度快、工艺成本低的半导体存储器，已经成为存储技术中的主流器件。 NAND闪存全球市场已超过每年600亿美金，并在持续快速增长。为了应对庞大的存储需求，需要持续推进闪存和相关存储技术的研发。然而，目前国内还没有关于存储技术的系统性书籍和教材。本书以中国科学院大学院级“研究生优秀课程”——“存储器工艺与器件技术”课程讲义为基础，结合我国自主的3D NAND Flash技术研发实践经历，集众多教师和学生的共同努力撰写而成。衷心希望本书能够助力我国在集成电路专业相关学科，特别是存储技术方向的人才培养，也希望本书能够为我国的存储技术持续创新和存储器事业贡献绵薄之力。 本书共12章，第1章宏观地介绍半导体存储器的国内外市场状况和分类。第2章主要介绍NAND Flash的发展历史，2D NAND Flash微缩过程中的挑战，以及3D NAND Flash的架构发展历程。第3章详细介绍3D NAND Flash的具体工艺流程，具体分析集成工艺中的挑战。第4章介绍3D NAND Flash的器件电学特性，分析具体操作的物理机制，对多晶硅沟道技术和器件基本特性进行详细介绍。第5章介绍3D NAND Flash的器件模型仿真技术，主要针对TCAD仿真平台及其在2D NAND Flash和3D NAND Flash上的应用进行具体介绍。第6～8章分别介绍3D NAND Flash阵列操作、可靠性技术和...