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CMOS模拟集成电路基础

提供资源,咨询QQ:2301891038。本书作者王永生教授历时三年精心编写,全面论述CMOS模拟集成电路的原理、方法与关键技术,浙大、哈工大、兰大、中科院专家联袂推荐

作者:王永生
丛书名:高等学校电子信息类专业系列教材
定价:69
印次:1-4
ISBN:9787302568513
出版日期:2021.07.01
印刷日期:2024.07.31

本书阐述CMOS集成电路分析与设计的相关知识,主要介绍CMOS模拟集成电路设计的背景、MOS 器件物理及建模等相关知识; 分析电流源、电流镜和基准源,以及共源极、共漏极、共栅极和共源共栅极等 基本放大器的结构、原理、分析与设计技术; 然后分析电路的频率、噪声等特性,并进一步讨论运算放大器、 反馈结构及其稳定性和频率补偿; 最后讨论与CMOS模拟集成电路相关的版图设计技术。 本书可作为高等院校电子信息类、微电子及集成电路专业本科生和研究生教材,也可作为相关领域工 程师的参考用书。

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前言 本书比较全面、深入地介绍了CMOS模拟集成电路分析与设计的基础知识。本书立足于CMOS模拟集成电路基础知识的阐述,同时侧重于模拟集成电路知识的实际运用,介绍了SPICE电路模拟仿真以及常用的集成电路EDA电路仿真工具,并且也注意与电子电路相关知识的联系和运用。本书可以作为高等院校电子信息类微电子及集成电路专业本科生和研究生教材,也可作为相关领域工程师的参考用书。 本书为了更加适应模拟集成电路教学的需要,循序渐进、深入浅出地阐述了CMOS模拟集成电路器件及模型、基本电路、复杂电路分析与设计的相关内容。本书侧重于基础知识的讨论,共分为12章: 第1章绪论,主要内容包括模拟集成电路与数字集成电路的关系、模拟集成电路的抽象层次与电路设计方法,并说明了本书的符号标记法; 第2章MOSFET器件及模型,主要内容包括MOSFET器件结构、I/V特性、器件模型; 第3章CMOS电流源与电流镜,主要内容包括简单电流源和电流镜、共源共栅电流源和电流镜、大摆幅共源共栅电流镜及威尔逊电流镜; 第4章基准源,主要内容包括 电压基准源和电流基准源; 第5章CMOS单级放大器,主要内容包括放大器的基本分析方法、共源极放大器、共漏极放大器、共栅极放大器及共源共栅放大器; 第6章CMOS差分放大器,主要内容包括差分工作方式、基本差分对、共模响应 及采用有源负载的差分对; 第7章CMOS放大器的频率响应,主要内容包括放大器的频率响应分析方法、单端放大器的频率响应及差分放大器的频率响应; 第8章噪声,主要内容包括噪声的表示及计算方法、电路噪声的类型及模型、基本放大器中的噪声、差分放大器中的噪声; 第9章反馈,主要内容包括反馈特性、反馈电路结构、反馈对噪声的影响; 第10章CMOS运算放大器,主要内容包括运算放大器的性能参数、单级及二级运算放大器、运算放大器的输出级、全差分运放及共模反馈; 第11章稳定性与频率补偿,主要内容包括稳定性分析技术、频率补偿技术; 第12章模拟集成电路的版图设计,主要内容包括MOS晶体管、无源器件和连线的版图设计、考虑对称性及噪声干扰的版图设计。最后还增加了基本的集成电路EDA电路仿真软件的使用方法,以便使读者可以快速上手入门。 本书主要由哈尔滨工业大学的王永生编著,来逢昌进行审校。黑龙江大学的曹贝及哈尔滨工业大学的付方发等也参与了本书部分内容的编写工作。 对哈尔滨工业大学微电子科学与技术系从事集成电路教学科研的师生表示诚挚的感谢,他们为撰写本书提供了支持和帮助。 同时也对清华大学出版社首席策划编辑盛东亮和他的同事表示感谢,感谢他们的辛苦付出。最后,感谢我的家人,自从开始撰写本书,他们 给予了我无私的爱、鼓励和理解。 由于编者水平有限,书中难免存在疏漏和错误,恳切希望广大读者批评指正。 编著者2021年4月

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  • 王永生  1974年7月出生,毕业于哈尔滨工业大学,获得微电子学与固体电子学博士学位,现任哈尔滨工业大学航天学院副教授。长期从事数/模混合信号集成电路、系统芯片及其可测试性、可靠性设计的教学及科研工作。先后主持和参与了10余项国家与省部级科研项目;开发了多款高速及高精度模/数转换器芯片以及混合信号SoC芯片。申请并获得授权发明专利10余项。在模/数转换器设计、混合信号SoC设计等领域发表学术论文50余篇。

  • 本书涉及的主题
    MOSFET器件及模型;
    CMOS电流源与电流镜;
    基准源电路;
    CMOS单级放大器;
    CMOS差分放大器;
    CMOS放大器的频率响应;
    CMOS集成电路中的噪声;
    反馈的设计;
    CMOS运算放大器;
    稳定性与频率补偿;
    模拟集成电路的版图设计技术;
    MOSFET电路的SPICE仿真及基本EDA电路仿真。
    本书突出的特点
    全面论述CMOS模拟集成电路器件、模型、基本电路、复杂电路的电路结构、原理以及分析设计方法;
    兼顾电子电路、信号与系统等相关知识在模拟集成电路分析与设计中的运用;
    提供了丰富的实例,用以巩固理论知识,并深化对集成电路设计实践的认识。教学资源
    教学课件
    教学大纲
    仿真说明
    仿真程序
    注  关注“人工智能科学与技术”微信公众号,在 “知识”→“资源下载”→“配书资源”菜单获取下载链接(或到清华大学出版社网站本书页面获取下载链接)。
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  • 目录

    第1章绪论

    1.1模拟电路与数字电路

    1.2电路抽象层次

    1.3模拟集成电路设计

    1.4符号标记法

    1.5本章小结

    第2章MOSFET器件及模型

    2.1引言

    2.2MOSFET器件结构

    2.2.1MOSFET器件

    2.2.2CMOS

    2.3MOSFET器件I/V特性

    2.3.1工作区

    2.3.2输出特性和转移特性

    2.3.3沟道长度调制效应

    2.3.4体效应

    2.3.5亚阈值导通效应

    2.4MOSFET器件模型

    2.4.1MOSFET器件的大信号模型

    2.4.2MOSFET器件的小信号模型

    2.4.3MOSFET器件的噪声模型

    2.4.4MOSFET器件的SPICE模型

    2.5本章小结

    习题

    第3章CMOS电流源与电流镜

    3.1引言

    3.2MOSFET电流源

    3.2.1简单电流源

    3.2.2共源共栅电流源

    3.3MOS电流镜

    3.3.1基本电流镜

    3.3.2共源共栅电流镜

    3.3.3大摆幅的共源共栅电流镜

    3.3.4威尔逊电流镜

    3.4本章小结

    习题

    第4章基准源

    4.1引言

    4.2电压基准源

    4.2.1分压型电压基准源

    4.2.2有源电压基准源

    4.2.3带隙基准源

    4.3电流基准源

    4.3.1基于电流镜的简单基准源

    4.3.2与电源无关的电流基准源

    4.3.3PTAT电流基准源...

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