"为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近 20 年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将为了应对我国在集成电路领域，尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面，摆脱光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境，作为从事光刻工艺研发近20年的资深研发人员，作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任，将近20年的学习成果和研发经验汇编成书，建立联系我国集成电路芯片的研发和制造，设备、材料和软件的研发，以及大专院校、科研院所的科学技术研究、人才培养的一座桥梁。 本书以光刻工艺为主线，将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建 模思想和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密、有机地联系在一起，给读者一个整体的图景。本书可供光刻技术领域科研院所的研究人员、大专院校的教师和学生、集成电路工厂的工程技术人员等参考。"

伍强，复旦大学研究员博士生导师。1993年于复旦大学获物理学学士学位，1999年于耶鲁大学获物理学博士学位。毕业后就职于IBM公司，担任半导体集成电路光刻工艺研发工程师，在研发65nm逻辑光刻工艺时，在世界上首次通过建模精确地测量了光刻工艺的重要参数：等效光酸扩散长度。2004年回国，先后担任光刻工艺研发主管、光刻设备应用部主管，就职于上海华虹NEC电子有限公司、荷兰阿斯麦（ASML）光刻设备制造（中国）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司、上海集成电路研发中心和复旦大学。先后研发或带领团队研发0.18μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、14nm、10nm、7nm等逻辑光刻工艺技术和0.11μm 动态随机存储器（DRAM）光刻工艺技术，带领设备应用部团队将193nm浸没式光刻机成功引入中国。截至2023年8月，个人共获得110项专利授权，其中40项美国专利，发表光刻技术论文79篇。担任国家“02”重大专项光刻机工程指挥部专家，入选“2018年度上海市优秀技术带头人”计划，2007-2009年担任ISTC（国际半导体技术大会）光刻分会主席。2010-2023年担任CSTIC（中国国际半导体技术大会）光刻分会副主席。

前言 半导体集成电路技术已成为我国信息技术发展的重要环节。 虽然近年来我国集成电路产业发展势头迅猛，但还缺乏关键技术，尤其是关键设备，如光刻机、光学检测设备、涂胶显影机、扫描电子显微镜和套刻测量显微镜、缺陷检测设备、高端193nm浸没式光刻胶、抗反射层、高端显影液等。此外，光刻计算软件和自动化设计软件等主要依赖进口。 由于外国供应商对我国技术出口的限制和各种控制，我国的光刻工艺工程人员很难从工作中比较系统地了解设备和材料的设计原理与构造，需要长时间地积累、分析和总结。 同时，我国的设备、材料和软件研发厂商也对现代光刻工艺的苛刻要求体会不深。 作者基于在国内外多家集成电路公司技术研发的工作经历及经验，并结合自己多年来分析总结的各种理论和实践知识，编写了本书。 希望通过本书建立起联系工业界芯片制造中的光刻工艺研发和国产光刻设备、材料、计算软件的研发，以及大专院校、科研院所科学技术研究的一座桥梁，以此抛砖引玉，促进国内各单位的相互了解、紧密合作，同时促进跨领域科技人才的培养，以期我国能够早日在光刻整体技术上赶上发达国家，摆脱关键技术长期依赖进口的局面，化解高新技术发展被“卡脖子”的巨大风险，为我国信息科技的可持续、健康发展出一份力。 本书聚焦光刻工艺的研发，同时以工艺研发为视角，详细介绍和分析了重要的设备，如光刻机、涂胶显影机、光掩模电子束曝光机、线宽测量扫描电镜、套刻测量显微镜、缺陷检测设备、其他测量设备，以及极紫外曝光机。同时，对光刻材料，如光刻胶、抗反射层做了深入分析。此外，还对光刻仿真软件、光学邻近效应修正软件算法做了详细推导和分析。在总结过...